新鸿基开始生产128层4D薄层闪存

2020-04-22 09:42 出处:同创娱乐开户注册 人气:  评论(

当编辑仍在努力选择容量较小的薄层颗粒固态硬盘和容量较大的QLC颗粒固态硬盘时,今天又出现了一条新消息。SK Hynix宣布已完成128层1Tb 3D TLC与非闪存的开发。这款新存储器采用了该公司的CTF设计和“4D”与非门的PUC架构。新的128层薄层与非闪存设备将于今年下半年发货。

1 Tb 128层“4D”TLC NAND

SK Hynix的1 Tb 128层TLC与非门芯片有四个平面和1.2伏的1400兆吨/秒接口,这不仅比前一代芯片密度更大,而且速度至少快16%。SK海力士表示,其CTF设计可以实现更快的编程时间(tPROG)和更快的读取时间(tR),实际功能提升可能更高。

SK海力士开始生产128层4D  TLC闪存

为了在其第六代3D与非门芯片中堆叠128层,该公司不得不采用多层设计和大量新技术,包括超平均垂直蚀刻技术和高可靠性多层薄膜电池形成技术。同时,SK Hynix实现了超快低功耗电路设计,在不增加器件功耗的情况下,改善了I/O总线的功能。

值得注意的是,与96层TLC与非门相比,向CTF PUC架构的过渡和各种优化使SK Hynix能够将工艺步骤数量减少5%,并将每个晶片的位生产率提高40%。

SK海力士开始生产128层4D  TLC闪存

SK Hynix将于今年下半年推出第一批1 Tb 128层TLC NAND芯片,主要用于移动存储设备,如USB驱动器和存储卡。

SK海力士开始生产128层4D  TLC闪存

最后,SK Hynix透露,目前正在开发176层4D与非门闪存,但没有透露可能何时推出。

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